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高精密源表iv测试mos场效应管方案

高精密源表iv测试mos场效应管方案

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发布企业:武汉普赛斯仪表有限公司

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更新时间:2022-6-15     湖北省武汉市 59.173.52.*

内容详情

半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流i-v测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础,通常使用i-v特性分析或i-v曲线来决定器件的基本参数。
分立器件i-v特性测试的主要目的是通过实验帮助---提取半导体器件的基本i-v特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用,如金属互连,镀层阶段,芯片封装后的测试等。
普赛斯仪表开发的半导体分立器件i-v特性测试方案,由一台或两台源精密源测量单元smu、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口mosfet场效应管为例,配套以下设备:
s型高精密源表测试三极管或者mos管需要几台源表?搭建方案示意图? 、三极管测试时一台加在基极与发射极之间,一台加在集电极与发射极之间;mos管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表;

、三极管的基极及mos管的栅极一般耐压值较低于30v,基于---性价比考虑,其中一台使用s100即可,另一台根据三极管的集电极或mos管的漏极耐压而定;
高精密源表iv测试mos场效应管方案认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯高精密源表优势:标准的scpi指令集,---的性价比,---的售后服务与技术支持


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武汉普赛斯仪表有限公司坐落于高新技术产业基地“武汉·光谷”,是一家集研发、生产、销售、服务于一体的技术型企业,拥有以硕士、博士为主的研发团队和经验丰富的管理服务团队。
普赛斯仪表自主研发的---台式数字源表、脉冲式源表、集成插卡式源表、窄脉冲电流源、---高压电源等,填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺,为客户提供模块化硬件、---驱动程序和---算法软件组合,帮助用户构建自定---决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台,以及相关技术服务,满足行业对测试效率、测试精度,以及低成本的挑战。

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